Корзина
0 ₽
пуста
- 10:00—20:00
- +7 (812) 646-7337
- Бесплатной звонок с России
- info@point-it.ru
- Наш адрес -
- 6 красноармейская 8 -
- Карта проезда
- 10:00—20:00
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Изображения товаров
| Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Производитель | Samsung |
| manufacturerCountry | Филиппины |
| gtdNumber | 10005030/301123/5031268/002 |
| Поддержка Reg | Нет |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| rusName | [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM |
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Характеристики
| Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Производитель | Samsung |
| manufacturerCountry | Филиппины |
| gtdNumber | 10005030/301123/5031268/002 |
| Поддержка Reg | Нет |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| rusName | [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM |
| сайт производителя | http://www.samsung.com/ |
| Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
| гарантия | 3 года |
| Количество контактов | 262 |
| Модель | M425R1GB4BB0-CWM |
| название | Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM |
| CAS Latency (CL) | - |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
| Низкопрофильная | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Дополнительная информация | - |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| Вес (грамм) | - |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
| Напряжение (В) | 1.1 |
| Поддержка водяного охлаждения | - |
| Количество чипов на модуле | - |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Габариты (мм) | - |
| Линейка | - |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Компоновка чипов на модуле | - |
| Чип | - |
| Высота (мм) | - |
| Потребление энергии | - |
| Радиатор | Нет |
| Бренд | SAMSUNG |
| Тайминги | - |
Товар добавлен в корзину
