Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM

Купить Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM

Цена
31 205
Артикул: M425R2GA3BB0-CWM

Наличие на складах:

1 шт – Срок 3 дня
Количество
Оперативная память M425R2GA3BB0-CWM от Samsung

Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM - Характеристики

Activate to Precharge Delay (tRAS)-
Название серии-
ВендорSamsung
rusName[Модуль памяти] Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM
Пропускная способность (МБ/с)44800
Поддержка RegНет
Напряжение (В)-
Количество товара в УЕИ1
Габариты0.2 × 6.8 × 3.1 см
РадиаторНет
Компоновка чипов на модуле-
Низкопрофильнаянет
Тип памяти DDRDDR5
Вес (грамм)-
масса(кг)0.02
Тип памятиSO-DIMM
Количество модулей в комплекте (шт)1
Нормальная операционная температура (Tcase)-
МодельM425R2GA3BB0-CWM
Общий объем памяти (ГБ)16
ПоставщикNetlab
Тайминги40
ширина(см)0.2
Потребление энергии-
Поддержка водяного охлажденияНет
RAS to CAS Delay (tRCD)-
Тип оборудованияОперативная память
КомплектацияОперативная память
Чип-
Габариты (мм)-
названиеSamsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM
Высота (мм)-
Объем одного модуля (ГБ)16
гарантия3 года
manufacturerCountryРЕСПУБЛИКА КОРЕЯ
Расширенная операционная температура (Tcase)-
высота(см)3.1
Дополнительная информация-
gtdNumber10005030/271125/5339587/008
длина(см)6.8
Количество чипов на модуле-
Тип поставкиOEM
Row Precharge Delay (tRP)-
сайт производителяhttp://www.samsung.com/ru/
Количество контактов262
Частота (MHz)5600
Подсветканет
ПроизводительSamsung
CAS Latency (CL)40
Линейка-
Поддержка ECCНет

Товар добавлен в корзину

Закрыть
Закрыть